ぐんまダイバーシティ推進地域ネットワーク

深さ分解軟X線吸収分光(XAS)法はつくば市の放射光施設(Photon Factory)で開発された手法であり、原子層レベルの深さ分解能で表面状態を観察することができます。この技術を応用し、「外場中での界面状態観察」を可能としたのが蛍光収量型深さ分解XAS法です。これまでに磁性体／誘電体や磁性体／イオン伝導体のヘテロ界面を対象に、電界中で界面状態を観察した結果について報告してきました。現在は超高感度観察に向けて高度化を進めています。将来的には実デバイスへの応用を視野に入れ、埋もれた界面の化学・磁気状態を精密に観察できる画期的なオペランド分析法として確立したいと考えています。また新たな機能創成に向けて、特異な界面構造の探索も進めたいと考えています。

私は現在、精密界面分析の高感度化、およびデバイス動作下におけるオペランド界面分析法の開発を行っています。これらの分析によって、分光学的視点から界面の微視的な電子状態や局所構造について議論することができます。多くの薄膜デバイス材料には酸素や炭素などの軽元素や遷移金属元素が含まれており、軟X線をプローブとして用いることでそれらの電子状態を詳細に議論することができます。さらに本手法特有の「深さ方向分析」によって、デバイス表面、あるいは埋もれた界面の化学・磁気状態を元素選別的に調べることができます。放射光軟X線分析、デバイス界面の精密オペランド分析に興味のある方はぜひご相談下さい。